Продукція > ONSEMI > NSBC114EF3T5G

NSBC114EF3T5G onsemi


dtc114e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+4.12 грн
16000+3.61 грн
24000+3.43 грн
40000+3.03 грн
56000+2.92 грн
80000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSBC114EF3T5G за ціною від 4.05 грн до 23.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.78 грн
23+13.31 грн
100+8.33 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.79 грн
23+14.29 грн
100+7.82 грн
500+5.80 грн
1000+4.61 грн
2500+4.19 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G dtc114e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.78 грн
23+13.31 грн
100+8.33 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
2000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G DTC114E-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.79 грн
23+14.29 грн
100+7.82 грн
500+5.80 грн
1000+4.61 грн
2500+4.19 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.