Продукція > ONSEMI > NSBC114EF3T5G
NSBC114EF3T5G

NSBC114EF3T5G onsemi

dtc114e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.16 грн
16000+3.65 грн
24000+3.47 грн
40000+3.06 грн
56000+2.95 грн
80000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSBC114EF3T5G за ціною від 4.36 грн до 25.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.01 грн
23+13.45 грн
100+8.41 грн
500+5.85 грн
1000+5.18 грн
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.40 грн
100+8.43 грн
500+6.24 грн
1000+4.97 грн
2500+4.51 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G dtc114e-d.pdf
NSBC114EF3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 92088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.01 грн
23+13.45 грн
100+8.41 грн
500+5.85 грн
1000+5.18 грн
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G DTC114E-D.PDF
NSBC114EF3T5G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.63 грн
20+15.40 грн
100+8.43 грн
500+6.24 грн
1000+4.97 грн
2500+4.51 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EF3T5G ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.