NSBC114EMXWTBG onsemi
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.90 грн |
| 32+ | 9.59 грн |
| 36+ | 8.52 грн |
| 100+ | 6.83 грн |
| 250+ | 6.28 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.57 грн |
| 2500+ | 5.29 грн |
| 5000+ | 5.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EMXWTBG onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції NSBC114EMXWTBG за ціною від 6.62 грн до 34.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC114EMXWTBG | Виробник : onsemi |
Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3 |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|