NSBC114EMXWTBG onsemi
Виробник: onsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 16.12 грн |
| 32+ | 10.58 грн |
| 36+ | 9.35 грн |
| 100+ | 7.49 грн |
| 250+ | 6.88 грн |
| 500+ | 6.51 грн |
| 1000+ | 6.11 грн |
| 2500+ | 5.79 грн |
| 5000+ | 5.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EMXWTBG onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції NSBC114EMXWTBG за ціною від 7.51 грн до 38.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC114EMXWTBG | Виробник : onsemi |
Digital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3 |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|