Продукція > ONSEMI > NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G onsemi


DTC114EP-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+19.08 грн
28+11.75 грн
100+6.63 грн
500+5.78 грн
1000+4.51 грн
2500+4.44 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC114EPDP6T5G за ціною від 5.86 грн до 22.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.44 грн
100+8.42 грн
500+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.44 грн
100+8.42 грн
500+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.