Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSBC114EPDP6T5G
NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor

dtc114ep-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC114EPDP6T5G за ціною від 3.92 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
23+13.05 грн
100+8.18 грн
500+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G ONSEMI ONSM-S-A0005492771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G dtc114ep-d.pdf
NSBC114EPDP6T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3580+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G dtc114ep-d.pdf
NSBC114EPDP6T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G dtc114ep-d.pdf
NSBC114EPDP6T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G dtc114ep-d.pdf
NSBC114EPDP6T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
23+13.05 грн
100+8.18 грн
500+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G DTC114EP-D.PDF
NSBC114EPDP6T5G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G ONSM-S-A0005492771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.