NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor


dtc114ep-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3580+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDP6T5G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC114EPDP6T5G за ціною від 3.63 грн до 25.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 6728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.23 грн
26+13.99 грн
100+7.73 грн
500+6.27 грн
1000+5.43 грн
2500+5.36 грн
5000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.66 грн
21+15.30 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005492771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 127970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G NSBC114EPDP6T5G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDP6T5G Виробник : ONSEMI dtc114ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.