Продукція > ONSEMI > NSBC114EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.41 грн
8000+4.72 грн
12000+4.47 грн
20000+3.93 грн
28000+3.77 грн
40000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC114EPDXV6T1G за ціною від 4.23 грн до 26.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 68894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.45 грн
27+13.96 грн
100+7.83 грн
500+5.67 грн
1000+4.87 грн
2000+4.47 грн
4000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.78 грн
22+15.64 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor nsbc114epdxv6-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G Виробник : ONSEMI dtc114ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT563
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.