
на замовлення 93785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 17.36 грн |
31+ | 11.38 грн |
100+ | 7.22 грн |
500+ | 6.92 грн |
1000+ | 5.66 грн |
2000+ | 5.13 грн |
4000+ | 4.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC114EPDXV6T1G за ціною від 5.25 грн до 25.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |