NSBC114EPDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 4.88 грн |
| 8000+ | 4.25 грн |
| 12000+ | 4.03 грн |
| 20000+ | 3.54 грн |
| 28000+ | 3.40 грн |
| 40000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC114EPDXV6T1G за ціною від 3.67 грн до 24.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
на замовлення 68894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 40859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NSBC114EPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 35...60 Mounting: SMD Quantity in set/package: 4000pcs. Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |