Продукція > ONSEMI > NSBC114EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.02 грн
8000+ 4.62 грн
12000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC114EPDXV6T1G за ціною від 3.32 грн до 28.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC114EP_D-2310694.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 51382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.28 грн
25+ 12.53 грн
100+ 5.91 грн
1000+ 4.52 грн
4000+ 4.05 грн
8000+ 3.52 грн
24000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
15+ 18.75 грн
100+ 9.49 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.39 грн
2000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor nsbc114epdxv6-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній