Продукція > ONSEMI > NSBC114EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.90 грн
8000+4.27 грн
12000+4.04 грн
20000+3.56 грн
28000+3.42 грн
40000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC114EPDXV6T1G за ціною від 4.92 грн до 24.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
22+14.16 грн
100+8.91 грн
500+6.21 грн
1000+5.51 грн
2000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G NSBC114EPDXV6T1G onsemi DTC114EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 68894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G dtc114ep-d.pdf
NSBC114EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 40859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.24 грн
22+14.16 грн
100+8.91 грн
500+6.21 грн
1000+5.51 грн
2000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G DTC114EP-D.PDF
NSBC114EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 68894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EPDXV6T1G dtc114ep-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.