
NSBC114TDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 25.66 грн |
21+ | 15.30 грн |
100+ | 9.56 грн |
500+ | 6.65 грн |
1000+ | 5.89 грн |
2000+ | 5.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114TDP6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.
Інші пропозиції NSBC114TDP6T5G за ціною від 4.06 грн до 26.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSBC114TDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NSBC114TDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
NSBC114TDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 408mW Case: SOT963 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of transistor: BRT |
товару немає в наявності |