NSBC114TDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 5.41 грн |
| 8000+ | 4.72 грн |
| 12000+ | 4.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114TDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC114TDXV6T1G за ціною від 5.27 грн до 33.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC114TDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 19890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSBC114TDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSBC114TDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Quantity in set/package: 4000pcs. Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |