на замовлення 40962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 19.52 грн |
| 26+ | 13.00 грн |
| 100+ | 5.80 грн |
| 1000+ | 4.77 грн |
| 2500+ | 4.40 грн |
| 8000+ | 3.38 грн |
| 24000+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114YDP6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.
Інші пропозиції NSBC114YDP6T5G за ціною від 4.45 грн до 24.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC114YDP6T5G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSBC114YDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC114YDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 182991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSBC114YDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
NSBC114YDP6T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
товару немає в наявності |