Продукція > ONSEMI > NSBC114YF3T5G
NSBC114YF3T5G

NSBC114YF3T5G onsemi

dtc114y-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114YF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSBC114YF3T5G за ціною від 3.33 грн до 23.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC114YF3T5G NSBC114YF3T5G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 13728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.44 грн
26+12.97 грн
100+8.09 грн
500+5.60 грн
1000+4.95 грн
2000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809056-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114YF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 16000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5G Виробник : onsemi DTC114Y-D.PDF Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.86 грн
26+14.50 грн
100+7.93 грн
500+5.87 грн
1000+4.60 грн
5000+4.12 грн
8000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5G NSBC114YF3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YF3T5G Виробник : ONSEMI dtc114y-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 297mW; SOT1123; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 297mW
Case: SOT1123
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.