Продукція > ONSEMI > NSBC114YPDP6T5G
NSBC114YPDP6T5G

NSBC114YPDP6T5G onsemi

dtc114yp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.71 грн
16000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114YPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC114YPDP6T5G за ціною від 4.24 грн до 25.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC114YPDP6T5G NSBC114YPDP6T5G onsemi DTC114YP-D.PDF Digital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+24.91 грн
20+15.05 грн
100+8.26 грн
500+6.07 грн
1000+4.83 грн
2500+4.61 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G NSBC114YPDP6T5G onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.23 грн
100+9.54 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G ONSEMI RE_DSHEET_NSBC114YPDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G DTC114YP-D.PDF
NSBC114YPDP6T5G
Виробник: onsemi
Digital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.91 грн
20+15.05 грн
100+8.26 грн
500+6.07 грн
1000+4.83 грн
2500+4.61 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G dtc114yp-d.pdf
NSBC114YPDP6T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.23 грн
100+9.54 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
2000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G RE_DSHEET_NSBC114YPDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.