Продукція > ONSEMI > NSBC114YPDP6T5G
NSBC114YPDP6T5G

NSBC114YPDP6T5G onsemi

dtc114yp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 368000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.50 грн
16000+3.95 грн
24000+3.75 грн
40000+3.32 грн
56000+3.19 грн
80000+3.07 грн
200000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114YPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC114YPDP6T5G за ціною від 4.60 грн до 27.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC114YPDP6T5G NSBC114YPDP6T5G Виробник : onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 371274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.87 грн
23+14.54 грн
100+9.11 грн
500+6.33 грн
1000+5.62 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G NSBC114YPDP6T5G Виробник : onsemi DTC114YP-D.PDF Digital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.01 грн
23+16.32 грн
100+8.96 грн
500+6.58 грн
1000+5.23 грн
2500+4.99 грн
5000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G Виробник : ONSEMI RE_DSHEET_NSBC114YPDP6T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBC114YPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114YPDP6T5G Виробник : ONSEMI dtc114yp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 8000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.