Технічний опис NSBC115EDXV6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC115EDXV6T1G за ціною від 3.23 грн до 29.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSBC115EDXV6T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSBC115EDXV6T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSBC115EDXV6T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Resistor - Base (R1): 100kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSBC115EDXV6T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.47 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 5.32 грн |
| 8000+ | 4.90 грн |
| 12000+ | 4.24 грн |
| 28000+ | 3.90 грн |
| 100000+ | 3.23 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 35990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5515+ | 6.37 грн |
| 10000+ | 5.68 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5515+ | 6.37 грн |
| 10000+ | 5.68 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5515+ | 6.37 грн |
| 10000+ | 5.68 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Resistor - Base (R1): 100kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Resistor - Base (R1): 100kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.25 грн |
| 15+ | 19.94 грн |
| 100+ | 10.06 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 5.72 грн |
| 2000+ | 4.81 грн |
| NSBC115EDXV6T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




