Продукція > ONSEMI > NSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1G

NSBC115EDXV6T1G onsemi

dtc115ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.48 грн
8000+5.05 грн
12000+4.36 грн
28000+4.02 грн
100000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC115EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC115EDXV6T1G за ціною від 4.02 грн до 30.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G onsemi dtc115ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.89 грн
20+16.45 грн
100+8.95 грн
500+6.70 грн
1000+5.92 грн
2000+5.29 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G onsemi dtc115ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Resistor - Base (R1): 100kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
15+20.54 грн
100+10.36 грн
500+7.94 грн
1000+5.89 грн
2000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1G dtc115ed-d.pdf
NSBC115EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.89 грн
20+16.45 грн
100+8.95 грн
500+6.70 грн
1000+5.92 грн
2000+5.29 грн
4000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1G dtc115ed-d.pdf
NSBC115EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Resistor - Base (R1): 100kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.13 грн
15+20.54 грн
100+10.36 грн
500+7.94 грн
1000+5.89 грн
2000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.