Продукція > ONSEMI > NSBC123EDXV6T1G
NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G onsemi

dtc123ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.62 грн
8000+4.90 грн
12000+4.65 грн
20000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC123EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC123EDXV6T1G за ціною від 3.52 грн до 27.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC123EDXV6T1G NSBC123EDXV6T1G Виробник : onsemi dtc123ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.98 грн
1000+6.24 грн
4000+5.43 грн
8000+3.74 грн
24000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123EDXV6T1G NSBC123EDXV6T1G Виробник : onsemi dtc123ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.