NSBC123EDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 5.62 грн |
| 8000+ | 4.90 грн |
| 12000+ | 4.64 грн |
| 20000+ | 4.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC123EDXV6T1G onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSBC123EDXV6T1G за ціною від 4.44 грн до 29.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC123EDXV6T1G | onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SOT-563 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 500mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NSBC123EDXV6T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN |
на замовлення 3651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NSBC123EDXV6T1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.75 грн |
| NSBC123EDXV6T1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.68 грн |
| 13+ | 25.61 грн |
| 2000+ | 21.85 грн |
| 4000+ | 4.44 грн |