Продукція > ONSEMI > NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G

NSBC123JDXV6T1G onsemi

dtc123jd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.62 грн
8000+4.90 грн
12000+4.64 грн
20000+4.08 грн
28000+3.92 грн
40000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC123JDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSBC123JDXV6T1G за ціною від 3.95 грн до 27.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC123JDXV6T1G NSBC123JDXV6T1G onsemi DTC123JD_D-1773692.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.64 грн
20+16.21 грн
100+8.88 грн
500+6.63 грн
1000+5.78 грн
2000+5.15 грн
4000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1G NSBC123JDXV6T1G onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.26 грн
100+10.22 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1G DTC123JD_D-1773692.pdf
NSBC123JDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 54608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.64 грн
20+16.21 грн
100+8.88 грн
500+6.63 грн
1000+5.78 грн
2000+5.15 грн
4000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JDXV6T1G dtc123jd-d.pdf
NSBC123JDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 51750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.26 грн
100+10.22 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.