NSBC123JDXV6T5G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC123JDXV6T5G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC123JDXV6T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC123JDXV6T5G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |