Продукція > ONSEMI > NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G

NSBC123JPDP6T5G onsemi

dtc123jp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.78 грн
16000+3.32 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC123JPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Інші пропозиції NSBC123JPDP6T5G за ціною від 3.44 грн до 26.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC123JPDP6T5G NSBC123JPDP6T5G Виробник : onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.66 грн
21+15.30 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.89 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5G Виробник : onsemi DTC123JP-D.PDF Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.87 грн
22+16.10 грн
100+8.80 грн
500+6.58 грн
1000+5.36 грн
5000+4.06 грн
8000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5G Виробник : ONSEMI dtc123jp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 408mW
Case: SOT963
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Quantity in set/package: 8000pcs.
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT; complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.