Продукція > ONSEMI > NSBC123JPDP6T5G

NSBC123JPDP6T5G onsemi


dtc123jp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+3.62 грн
16000+3.18 грн
24000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC123JPDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Supplier Device Package: SOT-963, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 339mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSBC123JPDP6T5G за ціною від 3.17 грн до 24.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC123JPDP6T5G NSBC123JPDP6T5G onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
21+14.66 грн
100+9.16 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
2000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5G onsemi DTC123JP-D.PDF Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.75 грн
22+14.83 грн
100+8.11 грн
500+6.06 грн
1000+4.93 грн
5000+3.74 грн
8000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5G dtc123jp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.58 грн
21+14.66 грн
100+9.16 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
2000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDP6T5G DTC123JP-D.PDF
Виробник: onsemi
Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.75 грн
22+14.83 грн
100+8.11 грн
500+6.06 грн
1000+4.93 грн
5000+3.74 грн
8000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.