NSBC123JPDP6T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.52 грн |
| 16000+ | 3.09 грн |
| 24000+ | 3.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC123JPDP6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Supplier Device Package: SOT-963, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 339mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSBC123JPDP6T5G за ціною від 4.89 грн до 23.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC123JPDP6T5G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Supplier Device Package: SOT-963 Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 339mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NSBC123JPDP6T5G | onsemi |
Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSBC123JPDP6T5G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.86 грн |
| 21+ | 14.23 грн |
| 100+ | 8.89 грн |
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.48 грн |
| 2000+ | 4.89 грн |
| NSBC123JPDP6T5G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY
Digital Transistors BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)