Продукція > ONSEMI > NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G

NSBC123JPDXV6T1G onsemi

dtc123jp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.62 грн
8000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC123JPDXV6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSBC123JPDXV6T1G за ціною від 4.16 грн до 28.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G ONSEMI 2578355.pdf Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.02 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G onsemi DTC123JP_D-1387747.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.64 грн
20+16.21 грн
100+8.88 грн
500+6.63 грн
1000+5.71 грн
2000+5.00 грн
4000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G onsemi dtc123jp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.26 грн
100+10.22 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JPDXV6T1G ONSEMI 2578355.pdf Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.29 грн
48+17.43 грн
100+11.02 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G dtc123jp-d.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G 2578355.pdf
NSBC123JPDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.02 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G DTC123JP_D-1387747.pdf
NSBC123JPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.64 грн
20+16.21 грн
100+8.88 грн
500+6.63 грн
1000+5.71 грн
2000+5.00 грн
4000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G dtc123jp-d.pdf
NSBC123JPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.26 грн
100+10.22 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G 2578355.pdf
NSBC123JPDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+28.29 грн
48+17.43 грн
100+11.02 грн
500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC123JPDXV6T1G dtc123jp-d.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.