NSBC123TF3T5G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC123TF3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 254 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-1123, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1123, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSBC123TF3T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NSBC123TF3T5G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSBC123TF3T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)