Продукція > ONSEMI > NSBC124EDXV6T5G
NSBC124EDXV6T5G

NSBC124EDXV6T5G onsemi


dtc124ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5413+4 грн
Мінімальне замовлення: 5413
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC124EDXV6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC124EDXV6T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBC124EDXV6T5G NSBC124EDXV6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5G NSBC124EDXV6T5G Виробник : onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5G NSBC124EDXV6T5G Виробник : ON Semiconductor DTC124ED_D-1773739.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товар відсутній