NSBC124EF3T5G onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 13+ | 27.20 грн | 
| 19+ | 17.46 грн | 
| 100+ | 11.76 грн | 
| 500+ | 8.55 грн | 
| 1000+ | 7.72 грн | 
| 2000+ | 7.01 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC124EF3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms. 
Інші пропозиції NSBC124EF3T5G за ціною від 4.49 грн до 33.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 
             | 
        NSBC124EF3T5G | Виробник : onsemi | 
            
                         Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR         | 
        
                             на замовлення 7718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| NSBC124EF3T5G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
        
                             на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||||||||||||
| 
             | 
        NSBC124EF3T5G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        NSBC124EF3T5G | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1123 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-1123 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 254 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms  | 
        
                             товару немає в наявності                      |