NSBC124EPDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 4.58 грн |
| 8000+ | 4.04 грн |
| 12000+ | 3.84 грн |
| 20000+ | 3.40 грн |
| 28000+ | 3.28 грн |
| 40000+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC124EPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції NSBC124EPDXV6T1G за ціною від 3.73 грн до 32.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC124EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 51566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSBC124EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
на замовлення 4016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSBC124EPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 624297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
NSBC124EPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |