Продукція > ONSEMI > NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G

NSBC124EPDXV6T1G onsemi

dtc124ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC124EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC124EPDXV6T1G за ціною від 4.33 грн до 29.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.47 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G onsemi dtc124ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+29.01 грн
18+17.75 грн
100+9.66 грн
500+7.22 грн
1000+6.39 грн
2000+5.70 грн
4000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0003584924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G dtc124ep-d.pdf
NSBC124EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.47 грн
20+15.60 грн
100+9.78 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
2000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G dtc124ep-d.pdf
NSBC124EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.01 грн
18+17.75 грн
100+9.66 грн
500+7.22 грн
1000+6.39 грн
2000+5.70 грн
4000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G ONSM-S-A0003584924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.