Продукція > ONSEMI > NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G

NSBC124EPDXV6T1G onsemi

dtc124ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.75 грн
8000+4.19 грн
12000+3.98 грн
20000+3.53 грн
28000+3.40 грн
40000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC124EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBC124EPDXV6T1G за ціною від 3.87 грн до 33.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 51566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.51 грн
26+12.01 грн
100+8.06 грн
500+5.81 грн
1000+5.23 грн
2000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC124EP_D-2311008.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.95 грн
15+23.36 грн
100+8.41 грн
1000+5.28 грн
4000+4.91 грн
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EPDXV6T1G NSBC124EPDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.