на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.53 грн |
| 15+ | 20.78 грн |
| 100+ | 8.83 грн |
| 1000+ | 5.58 грн |
| 4000+ | 4.92 грн |
| 8000+ | 3.85 грн |
| 24000+ | 3.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC124XDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC124XDXV6T1G за ціною від 6.66 грн до 30.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC124XDXV6T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSBC124XDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
NSBC124XDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товар відсутній |