Продукція > ONSEMI > NSBC143EDP6T5G

NSBC143EDP6T5G onsemi


DTC143ED_D-2311082.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.53 грн
12+26.38 грн
100+14.27 грн
1000+7.58 грн
2500+6.83 грн
8000+5.53 грн
24000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC143EDP6T5G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Інші пропозиції NSBC143EDP6T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC143EDP6T5G NSBC143EDP6T5G Виробник : onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.