на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 38.19 грн |
12+ | 28.36 грн |
100+ | 15.34 грн |
1000+ | 8.15 грн |
2500+ | 7.34 грн |
8000+ | 5.94 грн |
24000+ | 5.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC143EDP6T5G onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.
Інші пропозиції NSBC143EDP6T5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSBC143EDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBC143EDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
товару немає в наявності |