Технічний опис NSBC143EPDP6T5G ON Semiconductor
Category: Complementary transistors, Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V, Type of transistor: NPN / PNP, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 408mW, Case: SOT963, Current gain: 15...30, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 4.7kΩ, Quantity in set/package: 8000pcs., Base-emitter resistor: 4.7kΩ, Kind of transistor: BRT; complementary pair.
Інші пропозиції NSBC143EPDP6T5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSBC143EPDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBC143EPDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBC143EPDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NSBC143EPDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 408mW Case: SOT963 Current gain: 15...30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Base-emitter resistor: 4.7kΩ Kind of transistor: BRT; complementary pair |
товару немає в наявності |