
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 29.19 грн |
20+ | 17.86 грн |
100+ | 9.79 грн |
500+ | 7.27 грн |
1000+ | 5.82 грн |
5000+ | 4.74 грн |
8000+ | 4.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC143ZDP6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 339mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963, Part Status: Active.
Інші пропозиції NSBC143ZDP6T5G за ціною від 9.37 грн до 39.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSBC143ZDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NSBC143ZDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NSBC143ZDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 339mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NSBC143ZDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 408mW Case: SOT963 Current gain: 80...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Base-emitter resistor: 47kΩ Kind of transistor: BRT |
товару немає в наявності |