Продукція > ONSEMI > NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G

NSBC143ZDXV6T1G onsemi


dtc143zd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC143ZDXV6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSBC143ZDXV6T1G за ціною від 4.04 грн до 35.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ONSEMI 2907498.pdf Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.22 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : onsemi dtc143zd-d.pdf Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 58941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.03 грн
19+17.81 грн
100+7.27 грн
1000+5.65 грн
4000+5.14 грн
8000+4.11 грн
24000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
15+20.95 грн
100+10.59 грн
500+8.11 грн
1000+6.01 грн
2000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ONSEMI 2907498.pdf Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.24 грн
33+25.44 грн
100+9.80 грн
500+7.22 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.