Продукція > NEXPERIA USA INC. > NSF030120D7A0-QJ
NSF030120D7A0-QJ

NSF030120D7A0-QJ Nexperia USA Inc.

NSF030120D7A0-Q.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+807.57 грн
10+538.50 грн
100+403.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120D7A0-QJ Nexperia USA Inc.

Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-236-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSF030120D7A0-QJ за ціною від 383.95 грн до 877.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ Nexperia NSF030120D7A0-Q.pdf SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 660 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+877.10 грн
10+598.81 грн
100+389.80 грн
800+383.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ NEXPERIA NSF030120D7A0-Q.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ NEXPERIA NSF030120D7A0-Q.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 660 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+877.10 грн
10+598.81 грн
100+389.80 грн
800+383.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.