Продукція > NEXPERIA > NSF030120D7A0-QJ
NSF030120D7A0-QJ

NSF030120D7A0-QJ NEXPERIA

NSF030120D7A0-Q.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+724.05 грн
50+624.47 грн
100+531.56 грн
250+521.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120D7A0-QJ NEXPERIA

Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-236-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NSF030120D7A0-QJ за ціною від 362.43 грн до 1043.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ Nexperia USA Inc. NSF030120D7A0-Q.pdf Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.27 грн
10+530.01 грн
100+397.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ Nexperia NSF030120D7A0-Q.pdf SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+827.95 грн
10+565.25 грн
100+367.95 грн
800+362.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-QJ NEXPERIA NSF030120D7A0-Q.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.80 грн
5+884.33 грн
10+724.05 грн
50+624.47 грн
100+531.56 грн
250+521.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+795.27 грн
10+530.01 грн
100+397.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+827.95 грн
10+565.25 грн
100+367.95 грн
800+362.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0-QJ NSF030120D7A0-Q.pdf
NSF030120D7A0-QJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1043.80 грн
5+884.33 грн
10+724.05 грн
50+624.47 грн
100+531.56 грн
250+521.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.