на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1330.67 грн |
| 10+ | 919.05 грн |
| 50+ | 652.96 грн |
| 100+ | 606.27 грн |
| 500+ | 543.50 грн |
| 800+ | 478.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF030120D7A0-QJ Nexperia
Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-236-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSF030120D7A0-QJ за ціною від 430.47 грн до 918.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSF030120D7A0-QJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-236-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|