NSF030120D7A0J Nexperia USA Inc.
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1038.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF030120D7A0J Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF030120D7A0J за ціною від 977.97 грн до 2207.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF030120D7A0J | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSF030120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSF030120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSF030120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSF030120D7A0J | Виробник : Nexperia | SiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NSF030120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSF030120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A |
товару немає в наявності |