Продукція > NEXPERIA > NSF030120D7A0J
NSF030120D7A0J

NSF030120D7A0J NEXPERIA

4249814.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+936.68 грн
50+835.37 грн
100+738.66 грн
250+724.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120D7A0J NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції NSF030120D7A0J за ціною від 345.86 грн до 1536.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF030120D7A0J NSF030120D7A0J Nexperia NSF030120D7A0.pdf SiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1135.61 грн
10+802.62 грн
100+615.78 грн
800+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0J NSF030120D7A0J NEXPERIA 4249814.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1267.70 грн
5+1102.59 грн
10+936.68 грн
50+835.37 грн
100+738.66 грн
250+724.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0J NSF030120D7A0J Nexperia USA Inc. NSF030120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
100+976.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0J NSF030120D7A0.pdf
NSF030120D7A0J
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1135.61 грн
10+802.62 грн
100+615.78 грн
800+345.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0J 4249814.pdf
NSF030120D7A0J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1267.70 грн
5+1102.59 грн
10+936.68 грн
50+835.37 грн
100+738.66 грн
250+724.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120D7A0J NSF030120D7A0.pdf
NSF030120D7A0J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
100+976.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.