Продукція > NEXPERIA > NSF030120L3A0Q
NSF030120L3A0Q

NSF030120L3A0Q NEXPERIA

4473547.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1138.83 грн
50+955.03 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120L3A0Q NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції NSF030120L3A0Q за ціною від 522.59 грн до 1545.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Nexperia NSF030120L3A0.pdf SiC MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1210.51 грн
10+866.14 грн
30+753.16 грн
100+587.48 грн
500+554.34 грн
1000+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Nexperia USA Inc. NSF030120L3A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
450+798.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q NEXPERIA 4473547.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1545.56 грн
5+1342.60 грн
10+1138.83 грн
50+955.03 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0.pdf
NSF030120L3A0Q
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1210.51 грн
10+866.14 грн
30+753.16 грн
100+587.48 грн
500+554.34 грн
1000+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0.pdf
NSF030120L3A0Q
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1536.96 грн
10+1064.59 грн
450+798.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q 4473547.pdf
NSF030120L3A0Q
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1545.56 грн
5+1342.60 грн
10+1138.83 грн
50+955.03 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.