Продукція > NEXPERIA > NSF030120L3A0Q
NSF030120L3A0Q

NSF030120L3A0Q Nexperia

NSF030120L3A0.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1742.40 грн
10+1514.69 грн
25+1316.38 грн
100+1138.53 грн
250+1122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF030120L3A0Q за ціною від 1167.72 грн до 2102.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Виробник : NEXPERIA NSF030120L3A0.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1766.37 грн
50+1398.36 грн
100+1224.97 грн
250+1167.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. NSF030120L3A0.pdf Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1839.33 грн
10+1542.54 грн
450+1360.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Виробник : NEXPERIA NSF030120L3A0.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2102.79 грн
5+1935.00 грн
10+1766.37 грн
50+1398.36 грн
100+1224.97 грн
250+1167.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf030120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120L3A0Q NSF030120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf030120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.