на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1645.53 грн |
| 10+ | 1549.46 грн |
| 30+ | 1143.21 грн |
| 120+ | 1095.70 грн |
| 270+ | 1051.90 грн |
| 510+ | 1031.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF030120L4A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF030120L4A0Q за ціною від 950.49 грн до 2161.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF030120L4A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSF030120L4A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NSF030120L4A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
NSF030120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSF030120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A |
товару немає в наявності |