Продукція > NEXPERIA USA INC. > NSF030120T1A0HP
NSF030120T1A0HP

NSF030120T1A0HP Nexperia USA Inc.

NSF030120T1A0.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+524.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF030120T1A0HP Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NSF030120T1A0HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, QDPAK-EP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: QDPAK-EP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції NSF030120T1A0HP за ціною від 538.47 грн до 833.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF030120T1A0HP NSF030120T1A0HP Nexperia USA Inc. NSF030120T1A0.pdf Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HP NEXPERIA 4777323.pdf Description: NEXPERIA - NSF030120T1A0HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.59 грн
5+785.26 грн
10+768.35 грн
50+655.88 грн
100+549.51 грн
250+538.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HP NSF030120T1A0.pdf
NSF030120T1A0HP
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF030120T1A0HP 4777323.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF030120T1A0HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+833.59 грн
5+785.26 грн
10+768.35 грн
50+655.88 грн
100+549.51 грн
250+538.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.