Продукція > NEXPERIA > NSF040120D7A0J
NSF040120D7A0J

NSF040120D7A0J NEXPERIA

4249815.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+928.62 грн
50+811.44 грн
100+675.84 грн
250+662.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF040120D7A0J NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

Інші пропозиції NSF040120D7A0J за ціною від 307.20 грн до 1353.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Nexperia NSF040120D7A0.pdf SiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1011.58 грн
10+703.39 грн
100+529.49 грн
800+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J NEXPERIA 4249815.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.97 грн
5+1104.20 грн
10+928.62 грн
50+811.44 грн
100+675.84 грн
250+662.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Nexperia USA Inc. NSF040120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.67 грн
10+930.42 грн
100+830.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0.pdf
NSF040120D7A0J
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1011.58 грн
10+703.39 грн
100+529.49 грн
800+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J 4249815.pdf
NSF040120D7A0J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1278.97 грн
5+1104.20 грн
10+928.62 грн
50+811.44 грн
100+675.84 грн
250+662.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0.pdf
NSF040120D7A0J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1353.67 грн
10+930.42 грн
100+830.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.