NSF040120D7A0J NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 933.33 грн |
| 50+ | 815.55 грн |
| 100+ | 679.27 грн |
| 250+ | 665.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120D7A0J NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NSF040120D7A0J за ціною від 665.39 грн до 1473.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSF040120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
SiC MOSFETs 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-236-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |