Продукція > NEXPERIA > NSF040120D7A0J
NSF040120D7A0J

NSF040120D7A0J Nexperia

nsf040120d7a0.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1070.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF040120D7A0J Nexperia

Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-236-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NSF040120D7A0J за ціною від 821.12 грн до 1563.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : NEXPERIA 4249815.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1297.53 грн
50+1123.51 грн
100+962.01 грн
250+932.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : NEXPERIA 4249815.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1472.71 грн
5+1385.12 грн
10+1297.53 грн
50+1123.51 грн
100+962.01 грн
250+932.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : Nexperia NSF040120D7A0.pdf SiC MOSFETs 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1478.03 грн
10+1198.10 грн
100+900.98 грн
800+864.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : Nexperia USA Inc. NSF040120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1563.36 грн
10+1074.95 грн
50+891.25 грн
100+821.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J Виробник : NEXPERIA NSF040120D7A0.pdf SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : Nexperia nsf040120d7a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : Nexperia nsf040120d7a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A0J NSF040120D7A0J Виробник : Nexperia USA Inc. NSF040120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.