
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 843.60 грн |
10+ | 825.17 грн |
25+ | 821.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120D7A0J Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF040120D7A0J за ціною від 800.99 грн до 1807.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSF040120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSF040120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSF040120D7A0J | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |