Продукція > NEXPERIA > NSF040120D7A1-QJ
NSF040120D7A1-QJ

NSF040120D7A1-QJ NEXPERIA

NSF040120D7A1-Q.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+658.82 грн
50+587.08 грн
100+519.14 грн
250+508.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF040120D7A1-QJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції NSF040120D7A1-QJ за ціною від 284.10 грн до 947.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-QJ Nexperia USA Inc. NSF040120D7A1-Q.pdf Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.93 грн
10+482.00 грн
100+359.06 грн
800+284.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-QJ Nexperia NSF040120D7A1-Q.pdf SiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.27 грн
10+514.44 грн
100+381.76 грн
800+323.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-QJ NEXPERIA NSF040120D7A1-Q.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.15 грн
5+802.98 грн
10+658.82 грн
50+587.08 грн
100+519.14 грн
250+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-Q.pdf
NSF040120D7A1-QJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+726.93 грн
10+482.00 грн
100+359.06 грн
800+284.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-Q.pdf
NSF040120D7A1-QJ
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+756.27 грн
10+514.44 грн
100+381.76 грн
800+323.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120D7A1-QJ NSF040120D7A1-Q.pdf
NSF040120D7A1-QJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+947.15 грн
5+802.98 грн
10+658.82 грн
50+587.08 грн
100+519.14 грн
250+508.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.