NSF040120D7A1J NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 633.04 грн |
| 50+ | 517.53 грн |
| 100+ | 412.82 грн |
| 250+ | 404.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120D7A1J NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції NSF040120D7A1J за ціною від 270.57 грн до 917.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSF040120D7A1J | Nexperia USA Inc. |
Description: NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSF040120D7A1J | Nexperia |
SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSF040120D7A1J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSF040120D7A1J |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Description: NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 699.75 грн |
| 10+ | 463.45 грн |
| 100+ | 344.45 грн |
| 800+ | 270.57 грн |
| NSF040120D7A1J |
![]() |
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 728.08 грн |
| 10+ | 494.59 грн |
| 100+ | 345.86 грн |
| 800+ | 307.20 грн |
| NSF040120D7A1J |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 917.35 грн |
| 5+ | 775.60 грн |
| 10+ | 633.04 грн |
| 50+ | 517.53 грн |
| 100+ | 412.82 грн |
| 250+ | 404.54 грн |




