NSF040120D7A1J Nexperia USA Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 716.06 грн |
| 10+ | 474.22 грн |
| 100+ | 352.41 грн |
| 800+ | 276.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120D7A1J Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Інші пропозиції NSF040120D7A1J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF040120D7A1J | Nexperia |
 SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NSF040120D7A1J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSF040120D7A1J |
|
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
SiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NSF040120D7A1J |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)