Продукція > NEXPERIA > NSF040120L3A0Q
NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q Nexperia


nsf040120l3a0.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1314.05 грн
180+1232.71 грн
270+1169.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF040120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF040120L3A0Q за ціною від 714.13 грн до 1678.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Виробник : Nexperia NSF040120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1389.76 грн
10+985.33 грн
120+808.49 грн
510+749.61 грн
1020+714.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Виробник : NEXPERIA 4023448.pdf Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1481.12 грн
5+1290.58 грн
10+1100.04 грн
50+1020.68 грн
100+923.30 грн
250+904.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. NSF040120L3A0.pdf Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1678.10 грн
10+1162.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q Виробник : NEXPERIA NSF040120L3A0.pdf NSF040120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1616.42 грн
2+1528.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf040120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf040120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.