Продукція > NEXPERIA USA INC. > NSF040120L3A0Q
NSF040120L3A0Q

NSF040120L3A0Q Nexperia USA Inc.

NSF040120L3A0.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1614.33 грн
10+1118.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF040120L3A0Q Nexperia USA Inc.

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 46A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 313W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -10...22V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 95nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції NSF040120L3A0Q за ціною від 1117.80 грн до 1890.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q NEXPERIA NSF040120L3A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1689.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0Q Nexperia NSF040120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1890.81 грн
10+1117.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0.pdf
NSF040120L3A0Q
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1689.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF040120L3A0Q NSF040120L3A0.pdf
NSF040120L3A0Q
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1890.81 грн
10+1117.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.