на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1301.57 грн |
| 180+ | 1220.99 грн |
| 270+ | 1158.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120L3A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF040120L3A0Q за ціною від 715.57 грн до 1734.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
 SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF040120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF040120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSF040120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |