
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 921.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120L4A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF040120L4A0Q за ціною від 867.07 грн до 1688.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NSF040120L4A0Q | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NSF040120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |