NSF060120D7A0-QJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 578.28 грн |
| 50+ | 468.17 грн |
| 100+ | 367.95 грн |
| 250+ | 360.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF060120D7A0-QJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 183W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.
Інші пропозиції NSF060120D7A0-QJ за ціною від 274.07 грн до 844.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSF060120D7A0-QJ | Nexperia USA Inc. |
Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSF060120D7A0-QJ | Nexperia |
SiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSF060120D7A0-QJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 183W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSF060120D7A0-QJ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 642.28 грн |
| 10+ | 423.14 грн |
| 100+ | 312.75 грн |
| NSF060120D7A0-QJ |
![]() |
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
SiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 668.48 грн |
| 10+ | 450.93 грн |
| 100+ | 292.70 грн |
| 800+ | 274.07 грн |
| NSF060120D7A0-QJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 844.06 грн |
| 5+ | 711.17 грн |
| 10+ | 578.28 грн |
| 50+ | 468.17 грн |
| 100+ | 367.95 грн |
| 250+ | 360.36 грн |




