Продукція > NEXPERIA > NSF060120D7A0J
NSF060120D7A0J

NSF060120D7A0J NEXPERIA

4249813.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF060120D7A0J NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції NSF060120D7A0J за ціною від 260.95 грн до 1088.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF060120D7A0J NSF060120D7A0J Nexperia NSF060120D7A0.pdf SiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.25 грн
10+573.19 грн
100+414.89 грн
800+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0J NSF060120D7A0J NEXPERIA 4249813.pdf Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+947.15 грн
5+809.42 грн
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0J NSF060120D7A0J Nexperia USA Inc. NSF060120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.06 грн
10+738.37 грн
100+626.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0J NSF060120D7A0.pdf
NSF060120D7A0J
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.25 грн
10+573.19 грн
100+414.89 грн
800+260.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0J 4249813.pdf
NSF060120D7A0J
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+947.15 грн
5+809.42 грн
10+670.90 грн
50+582.59 грн
100+500.50 грн
250+490.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120D7A0J NSF060120D7A0.pdf
NSF060120D7A0J
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1088.06 грн
10+738.37 грн
100+626.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.