NSF060120L3A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 986.98 грн |
| 50+ | 915.68 грн |
| 100+ | 730.56 грн |
| 250+ | 709.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF060120L3A0Q NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF060120L3A0Q за ціною від 627.27 грн до 1271.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSF060120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |