Продукція > NEXPERIA > NSF060120L3A0Q
NSF060120L3A0Q

NSF060120L3A0Q Nexperia


Виробник: Nexperia
MOSFETs 1200 V, 60 mOhm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1119.06 грн
10+972.14 грн
25+844.60 грн
100+730.00 грн
250+709.91 грн
1000+704.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF060120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF060120L3A0Q за ціною від 634.70 грн до 1349.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF060120L3A0Q NSF060120L3A0Q Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0Q NSF060120L3A0Q Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.82 грн
5+1242.14 грн
10+1133.62 грн
50+897.62 грн
100+786.35 грн
250+749.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.46 грн
10+842.19 грн
30+807.21 грн
120+667.46 грн
270+634.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0Q NSF060120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf060120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L3A0Q NSF060120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf060120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.