
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1119.06 грн |
10+ | 972.14 грн |
25+ | 844.60 грн |
100+ | 730.00 грн |
250+ | 709.91 грн |
1000+ | 704.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF060120L3A0Q Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF060120L3A0Q за ціною від 634.70 грн до 1349.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSF060120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NSF060120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NSF060120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |