Продукція > NEXPERIA > NSF060120L4A0Q
NSF060120L4A0Q

NSF060120L4A0Q NEXPERIA

4473550.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+825.53 грн
50+676.82 грн
100+541.23 грн
250+530.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF060120L4A0Q NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 183W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.

Інші пропозиції NSF060120L4A0Q за ціною від 351.38 грн до 1173.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Nexperia NSF060120L4A0.pdf SiC MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.52 грн
10+621.62 грн
30+540.54 грн
100+403.16 грн
500+374.16 грн
1000+351.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Nexperia USA Inc. NSF060120L4A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.52 грн
10+784.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q NEXPERIA 4473550.pdf Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.46 грн
5+999.50 грн
10+825.53 грн
50+676.82 грн
100+541.23 грн
250+530.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0.pdf
NSF060120L4A0Q
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+912.52 грн
10+621.62 грн
30+540.54 грн
100+403.16 грн
500+374.16 грн
1000+351.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0.pdf
NSF060120L4A0Q
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1152.52 грн
10+784.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q 4473550.pdf
NSF060120L4A0Q
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1173.46 грн
5+999.50 грн
10+825.53 грн
50+676.82 грн
100+541.23 грн
250+530.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.