NSF060120L4A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 874.00 грн |
| 50+ | 795.03 грн |
| 100+ | 719.32 грн |
| 250+ | 704.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF060120L4A0Q NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF060120L4A0Q за ціною від 694.98 грн до 1262.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSF060120L4A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF060120L4A0Q | Виробник : Nexperia | MOSFETs 1200 V, 60 mOhm, N-channel SiC MOSFET |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
NSF060120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF060120L4A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |