Продукція > NEXPERIA > NSF060120L4A0Q
NSF060120L4A0Q

NSF060120L4A0Q NEXPERIA

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+884.08 грн
50+804.20 грн
100+727.62 грн
250+712.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF060120L4A0Q NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF060120L4A0Q за ціною від 703.00 грн до 1277.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1193.94 грн
5+1039.44 грн
10+884.08 грн
50+804.20 грн
100+727.62 грн
250+712.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Виробник : Nexperia MOSFETs 1200 V, 60 mOhm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1277.41 грн
10+974.95 грн
30+847.78 грн
100+732.24 грн
500+725.36 грн
1000+721.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1054.46 грн
10+932.76 грн
30+894.10 грн
120+739.29 грн
270+703.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Виробник : Nexperia nsf060120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF060120L4A0Q NSF060120L4A0Q Виробник : Nexperia nsf060120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.