Продукція > NEXPERIA > NSF080120D7A0J
NSF080120D7A0J

NSF080120D7A0J Nexperia

nsf080120d7a0.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+670.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF080120D7A0J Nexperia

Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-236-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NSF080120D7A0J за ціною від 373.56 грн до 1108.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : NEXPERIA 4249812.pdf Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+831.24 грн
50+720.04 грн
100+616.81 грн
250+596.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : NEXPERIA 4249812.pdf Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+947.17 грн
5+889.63 грн
10+831.24 грн
50+720.04 грн
100+616.81 грн
250+596.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : Nexperia NSF080120D7A0.pdf SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.74 грн
10+667.28 грн
50+537.37 грн
100+520.53 грн
500+497.57 грн
800+373.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : Nexperia USA Inc. NSF080120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1108.76 грн
10+747.07 грн
50+610.29 грн
100+531.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J Виробник : NEXPERIA NSF080120D7A0.pdf NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J Виробник : NEXPERIA NSF080120D7A0.pdf NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : Nexperia nsf080120d7a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : Nexperia nsf080120d7a0.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120D7A0J NSF080120D7A0J Виробник : Nexperia USA Inc. NSF080120D7A0.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.