на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 654.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF080120D7A0J Nexperia
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NSF080120D7A0J за ціною від 464.44 грн до 1044.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSF080120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSF080120D7A0J | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF080120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSF080120D7A0J | Виробник : Nexperia | SiC MOSFETs 1200 V, 80 mohm, N-channel SiC MOSFET |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Виробник : NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NSF080120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF080120D7A0J | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSF080120D7A0J | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |