Продукція > NEXPERIA USA INC. > NSF080120L3A0Q
NSF080120L3A0Q

NSF080120L3A0Q Nexperia USA Inc.

NSF080120L3A0.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.57 грн
10+388.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF080120L3A0Q Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 202W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 246.45 грн до 1716.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Nexperia NSF080120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.07 грн
10+360.43 грн
510+246.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q NEXPERIA 4023449.pdf Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 202W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+772.38 грн
5+708.75 грн
10+644.32 грн
50+539.21 грн
100+442.51 грн
250+387.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q NEXPERIA NSF080120L3A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1716.39 грн
3+1199.08 грн
10+1075.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0.pdf
NSF080120L3A0Q
Виробник: Nexperia
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+637.07 грн
10+360.43 грн
510+246.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q 4023449.pdf
NSF080120L3A0Q
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 202W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+772.38 грн
5+708.75 грн
10+644.32 грн
50+539.21 грн
100+442.51 грн
250+387.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0.pdf
NSF080120L3A0Q
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1716.39 грн
3+1199.08 грн
10+1075.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.