Продукція > NEXPERIA > NSF080120L3A0Q
NSF080120L3A0Q

NSF080120L3A0Q Nexperia


nsf080120l3a0.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+473.72 грн
28+440.13 грн
29+435.73 грн
100+416.00 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF080120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 445.71 грн до 1269.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.56 грн
10+471.57 грн
25+466.85 грн
100+445.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : NEXPERIA 4023449.pdf Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.70 грн
5+823.66 грн
10+713.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia NSF080120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.84 грн
10+813.12 грн
30+704.80 грн
120+701.03 грн
270+553.13 грн
510+532.75 грн
1020+506.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. NSF080120L3A0.pdf Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1000.76 грн
10+683.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q Виробник : NEXPERIA NSF080120L3A0.pdf NSF080120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1269.77 грн
2+1029.09 грн
3+973.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.