Продукція > NEXPERIA > NSF080120L3A0Q
NSF080120L3A0Q

NSF080120L3A0Q Nexperia


nsf080120l3a0.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+438.83 грн
10+407.71 грн
25+403.63 грн
100+385.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF080120L3A0Q Nexperia

Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 415.00 грн до 1252.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+472.59 грн
28+439.07 грн
29+434.68 грн
100+415.00 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : NEXPERIA 4023449.pdf Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.75 грн
5+812.23 грн
10+703.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia NSF080120L3A0.pdf SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.86 грн
10+801.85 грн
30+695.02 грн
120+691.30 грн
270+545.45 грн
510+525.36 грн
1020+499.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. NSF080120L3A0.pdf Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO
Packaging: Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.88 грн
10+674.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q Виробник : NEXPERIA NSF080120L3A0.pdf NSF080120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1252.16 грн
2+1014.82 грн
3+959.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L3A0Q NSF080120L3A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l3a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.