на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 437.77 грн |
| 10+ | 406.73 грн |
| 25+ | 402.66 грн |
| 100+ | 384.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF080120L3A0Q Nexperia
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -10...22V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 414.00 грн до 1172.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSF080120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSF080120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
товару немає в наявності |