Продукція > NEXPERIA > NSF080120L4A0Q
NSF080120L4A0Q

NSF080120L4A0Q NEXPERIA

4190492.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.27 грн
5+954.47 грн
10+892.67 грн
50+828.11 грн
100+712.91 грн
250+660.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSF080120L4A0Q NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 183W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NSF080120L4A0Q за ціною від 501.17 грн до 1285.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSF080120L4A0Q NSF080120L4A0Q Виробник : Nexperia NSF080120L4A0.pdf SiC MOSFETs 1200 V, 80 mOhm, N-channel SiC MOSFET
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1124.76 грн
10+828.88 грн
120+622.83 грн
510+589.16 грн
1020+501.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0Q NSF080120L4A0Q Виробник : Nexperia USA Inc. NSF080120L4A0.pdf Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1285.38 грн
10+875.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0Q Виробник : NEXPERIA nsf080120l4a0.pdf N-channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0Q NSF080120L4A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSF080120L4A0Q NSF080120L4A0Q Виробник : Nexperia nsf080120l4a0.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.