NSL12AWT1G onsemi

Name: NSL12AWT1G
Brand: onsemi
SKU: 13294879-3
Price: 22368.72 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 450 mW

на замовлення 258892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2748+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 2748

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSL12AWT1G onsemi

Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 450 mW.

Інші пропозиції NSL12AWT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NSL12AWT1G	Виробник : ON Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT 3A 12V Switching PNP	на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NSL12AWT1G			на замовлення 3075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NSL12AWT1G	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW 6-Pin SC-88 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSL12AWT1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 450 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.