Продукція > ONSEMI > NSL12AWT1G
NSL12AWT1G

NSL12AWT1G onsemi


nsl12aw-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 309892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2748+7.3 грн
Мінімальне замовлення: 2748
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSL12AWT1G onsemi

Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 450 mW.

Інші пропозиції NSL12AWT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSL12AWT1G NSL12AWT1G Виробник : ON Semiconductor NSL12AW_D-2318257.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 12V Switching PNP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSL12AWT1G nsl12aw-d.pdf
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSL12AWT1G NSL12AWT1G Виробник : ON Semiconductor nsl12aw-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSL12AWT1G NSL12AWT1G Виробник : onsemi nsl12aw-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 450 mW
товар відсутній