Продукція > ONSEMI > NSM4002MR6T1G
NSM4002MR6T1G

NSM4002MR6T1G onsemi


nsm4002mr6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V/45V SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 100MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.96 грн
6000+7.85 грн
9000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSM4002MR6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500µW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSM4002MR6T1G за ціною від 6.53 грн до 40.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000774865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 59393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3900+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3900
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : ONSEMI 2354506.pdf Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.54 грн
500+8.79 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : ONSEMI nsm4002mr6-d.pdf Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.45 грн
39+21.16 грн
100+11.20 грн
500+9.63 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : onsemi nsm4002mr6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
15+23.21 грн
100+10.20 грн
1000+8.95 грн
3000+7.71 грн
9000+6.68 грн
24000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : onsemi nsm4002mr6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V/45V SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 100MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 11771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
13+23.85 грн
100+15.14 грн
500+10.68 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Виробник : ON Semiconductor nsm4002mr6-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A/0.5A 300mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSM4002MR6T1G Виробник : ON Semiconductor nsm4002mr6-d.pdf
на замовлення 152900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.