NSM4002MR6T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V/45V SC74
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-74
Frequency - Transition: 300MHz, 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 45V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, 500mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.68 грн |
| 15+ | 21.07 грн |
| 100+ | 13.37 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSM4002MR6T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500µW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NSM4002MR6T1G за ціною від 7.75 грн до 42.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSM4002MR6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500µW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NSM4002MR6T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS |
на замовлення 3783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NSM4002MR6T1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 152900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSM4002MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 36.10 грн |
| 38+ | 22.04 грн |
| 100+ | 14.31 грн |
| 500+ | 9.32 грн |
| 1000+ | 7.75 грн |
| NSM4002MR6T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.43 грн |
| 13+ | 25.78 грн |
| 100+ | 14.31 грн |
| 500+ | 10.78 грн |
| 1000+ | 9.66 грн |
| 3000+ | 8.88 грн |
| NSM4002MR6T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 152900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




