
NSR01F30MXT5G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSR01F30MXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X3DFN
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.08 грн |
1000+ | 4.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR01F30MXT5G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR01F30MXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: X3DFN, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 600mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSR01F30MXT5G за ціною від 3.13 грн до 27.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X3DFN Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 8649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; X3DFN2; SMD; 30V; 0.1A; reel,tape Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.6V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD Case: X3DFN2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; X3DFN2; SMD; 30V; 0.1A; reel,tape Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.6V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD Case: X3DFN2 |
товару немає в наявності |