
на замовлення 57460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4519+ | 5.41 грн |
10000+ | 4.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR01F30MXT5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSR01F30MXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 600 mV, 2 A, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: X3DFN, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 600mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSR01F30MXT5G за ціною від 3.39 грн до 27.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X3DFN Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
на замовлення 7959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X3DFN Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
NSR01F30MXT5G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |