
NSR02301MX4T5G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2X4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 4.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR02301MX4T5G onsemi
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: X4DFN, Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 540mV, Sperrverzögerungszeit: 9.4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NSR02301MX4T5G за ціною від 4.56 грн до 35.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSR02301MX4T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X4DFN Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 540mV Sperrverzögerungszeit: 9.4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NSR02301MX4T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X4DFN Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 540mV Sperrverzögerungszeit: 9.4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NSR02301MX4T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 11 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 2-X4DFN (0.45x0.24) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSR02301MX4T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 442-451 дні (днів) |
|