
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 5.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR02L30NXT5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSR02L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 580 mV, 4 A, 150 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: 0201, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 580mV, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSR02L30NXT5G за ціною від 4.83 грн до 33.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 2-DSN (0.60x0.30) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V |
на замовлення 720000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1083926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 649900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 933000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 0201 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 580mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 2-DSN (0.60x0.30) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 30 V |
на замовлення 724325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 0201 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 580mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 32088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
NSR02L30NXT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
NSR02L30NXT5G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |