Технічний опис NSR0630P2T5G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 600MA, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Current - Average Rectified (Io): 600mA.
Інші пропозиції NSR0630P2T5G за ціною від 5.85 грн до 5.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSR0630P2T5G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 600MA Packaging: Bulk Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 600mA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V |
на замовлення 146420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSR0630P2T5G |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 600MA
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 600MA
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 146420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3836+ | 5.85 грн |