Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR10T406MX2WT5G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz, Technology: Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 2-XDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSR10T406MX2WT5G за ціною від 3.94 грн до 35.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSR10T406MX2WT5G | onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNWCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 2-XDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 28624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 28682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW Package / Case: 2-XDFN Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank |
на замовлення 79990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSR10T406MX2WT5G |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 5.90 грн |
| 16000+ | 5.05 грн |
| 24000+ | 4.73 грн |
| 56000+ | 3.94 грн |
| NSR10T406MX2WT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Schottky Barrier Diode
Schottky Barrier Diode
на замовлення 28624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5367+ | 6.55 грн |
| 10000+ | 5.84 грн |
| NSR10T406MX2WT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Schottky Barrier Diode
Schottky Barrier Diode
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5367+ | 6.55 грн |
| NSR10T406MX2WT5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Schottky Barrier Diode
Schottky Barrier Diode
на замовлення 28682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5367+ | 6.55 грн |
| 10000+ | 5.84 грн |
| NSR10T406MX2WT5G |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
на замовлення 79990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.41 грн |
| 12+ | 25.28 грн |
| 100+ | 14.30 грн |
| 500+ | 8.89 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| 2000+ | 5.92 грн |