на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.48 грн |
| 15+ | 24.57 грн |
| 100+ | 10.72 грн |
| 1000+ | 6.54 грн |
| 2500+ | 5.47 грн |
| 8000+ | 4.56 грн |
| 24000+ | 4.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSR10T406MX2WT5G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V.
Інші пропозиції NSR10T406MX2WT5G за ціною від 4.21 грн до 37.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 28682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
на замовлення 28624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNWPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A 2-X2DFNWPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1.6x0.8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V |
на замовлення 79990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NSR10T406MX2WT5G | Виробник : ON Semiconductor |
Schottky Barrier Diode |
товару немає в наявності |
