Продукція > ONSEMI > NSS12100UW3TCG
NSS12100UW3TCG

NSS12100UW3TCG onsemi

nss12100uw3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.17 грн
10+38.48 грн
100+24.97 грн
500+17.97 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS12100UW3TCG onsemi

Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 740 mW.

Інші пропозиції NSS12100UW3TCG за ціною від 12.97 грн до 67.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG Виробник : onsemi NSS12100UW3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.46 грн
10+41.48 грн
100+23.73 грн
500+18.19 грн
1000+16.61 грн
3000+14.00 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG Виробник : onsemi nss12100uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG nss12100uw3-d.pdf
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.