NSS12100UW3TCG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.44 грн |
| 6000+ | 12.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS12100UW3TCG onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 740 mW.
Інші пропозиції NSS12100UW3TCG за ціною від 12.61 грн до 70.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSS12100UW3TCG | onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 740 mW |
на замовлення 37250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSS12100UW3TCG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSS12100UW3TCG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 37250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.34 грн |
| 10+ | 38.12 грн |
| 100+ | 24.73 грн |
| 500+ | 17.79 грн |
| 1000+ | 16.05 грн |
| NSS12100UW3TCG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.77 грн |
| 10+ | 43.34 грн |
| 100+ | 24.47 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 16.89 грн |
| 3000+ | 13.74 грн |
| 6000+ | 12.61 грн |
| NSS12100UW3TCG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.98 грн |
| 18+ | 43.97 грн |
| 25+ | 43.57 грн |
| 100+ | 30.83 грн |
| 250+ | 28.27 грн |
| 500+ | 19.44 грн |
| 1000+ | 16.26 грн |


