NSS12200LT1G

NSS12200LT1G ON Semiconductor


374418496019380nss12200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS12200LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSS12200LT1G за ціною від 7.40 грн до 47.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.90 грн
500+12.81 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+24.88 грн
901+13.58 грн
1089+11.24 грн
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+31.80 грн
27+26.66 грн
100+14.55 грн
1000+11.61 грн
3000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.60 грн
31+28.19 грн
100+14.90 грн
500+12.81 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : onsemi nss12200l-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.72 грн
12+29.85 грн
100+13.21 грн
3000+9.13 грн
9000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G Виробник : ON nss12200l-d.pdf 10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G
Код товару: 113923
Додати до обраних Обраний товар

nss12200l-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss12200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G Виробник : onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.