Інші пропозиції NSS12200LT1G за ціною від 6.80 грн до 43.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSS12200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| NSS12200LT1G | Виробник : ON |
10+ROHS SOT-23 |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
товару немає в наявності |