Інші пропозиції NSS12200LT1G за ціною від 8.12 грн до 34.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS12200LT1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NSS12200LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
NSS12200LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
NSS12200LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NSS12200LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NSS12200LT1G | ON |
10+ROHS SOT-23 |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.95 грн |
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.51 грн |
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 492+ | 28.59 грн |
| 901+ | 15.59 грн |
| 1089+ | 12.91 грн |
| 3000+ | 8.77 грн |
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.09 грн |
| 27+ | 28.59 грн |
| 100+ | 15.59 грн |
| 1000+ | 12.45 грн |
| 3000+ | 8.12 грн |
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSS12200LT1G |
|
Виробник: ON
10+ROHS SOT-23
10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)