
NSS12200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS12200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NSS12200LT1G за ціною від 6.53 грн до 46.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
NSS12200LT1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G Код товару: 113923
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NSS12200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |